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Enhancement Mode (E-Mode) AlGaN/GaN MOSFET With 10(-13) A/mm Leakage Current and 10(12) ON/OFF Current Ratio 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1200-1202
作者:  Cai, Y (蔡勇)
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