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Low Leakage Current and High-Cutoff Frequency AlGaN/GaN MOSHEMT Using Submicrometer-Footprint Thermal Oxidized TiO2/NiO as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 738-740
作者:  Zhang, YH(张耀辉)
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/01/15