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金属研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2008 [1]
2007 [2]
学科主题
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共3条,第1-3条
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Preparation of arsenic-doped Ge nanocrystals embedded in SiO2 film by ion implantation and thermal neutron irradiation
期刊论文
OAI收割
Materials Letters, 2008, 卷号: 62, 期号: 21-22, 页码: 3617-3619
S. B. Dun
;
T. C. Lu
;
Y. W. Hu
;
Q. Hu
;
C. F. You
;
N. K. Huang
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提交时间:2012/04/13
luminescence
nanocomposites
surfaces
neutron transmutation doping
XPS
TEM
photoluminescence
luminescence
semiconductors
mechanism
matrices
defects
The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix
期刊论文
OAI收割
Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518
Y. W. Hu
;
T. C. Lu
;
S. B. Dun
;
Q. Hu
;
N. K. Huang
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
L. Resnick
;
I. Shlimak
;
S. Zhu
;
Q. M. Wei
;
L. M. Wang
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提交时间:2012/04/13
isotope Ge nanocrystals
transmuted impurities
laser Raman scattering
neutron transmutation doping
visible photoluminescence
semiinsulating gaas
hopping conduction
thin-films
scattering
germanium
sio2-films
plasmons
phonons
growth
Photoluminescence study of Ge nanocrystals irradiated by reactor neutron flux
期刊论文
OAI收割
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 卷号: 264, 期号: 2, 页码: 272-276
S. B. Dun
;
T. C. Lu
;
Q. Hu
;
Y. W. Hu
;
C. F. You
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
N. K. Huang
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提交时间:2012/04/13
Ge nanocrystals
neutron transmutation doping
photoluminescence
Raman
scattering
doped si nanocrystals
electron-spin-resonance
semiconductor
nanocrystals
n-type
implanted sio2-films
silicon nanocrystals
porous
silicon
raman
luminescence
temperature