机构

• 半导体研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2018 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792 作者:  Liu, Ningyang;  Wang, Lei;  Song LG(宋力刚);  Cao XZ(曹兴忠);  Wang BY(王宝义)   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/10/11 Atom displacement  carrier removal effect  carrier ultrafast dynamics  GaN  indium localization  light-emitting diodes (LEDs)  nonradiative recombination centers (NRCs)  positron annihilation spectroscopy (PAS)  silicon ion irradiation  strain relaxation   Threshold reduction in strained-layer ingaas/gaas quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 作者:  Lu, LW;  Zhang, YH;  Yang, GW;  Wang, J;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaas/gaas quantum wells  Dlts measurements  Nonradiative centers   Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 Lu LW; Zhang YH; Yang GW; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs quantum wells  DLTS measurements  nonradiative centers  THICKNESS