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机构
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
Physics [1]
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The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX
;
Ning, BX
;
Bi, DW
;
Chen, M
;
Zou, SC
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提交时间:2013/04/17
total ionizing dose
shallow trench isolation
oxide trapped charge
metal-oxide-semiconductor field effect transistor