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金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
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Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure
期刊论文
OAI收割
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828
J. C. Sun
;
Q. J. Feng
;
J. M. Bian
;
D. Q. Yu
;
M. K. Li
;
C. R. Li
;
H. W. Liang
;
J. Z. Zhao
;
H. Qiu
;
G. T. Du
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提交时间:2012/04/13
p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction
LED
UV electroluminescence
MOCVD
chemical-vapor-deposition
zinc-oxide
n-zno
nitrogen
films
fabrication
substrate