机构

• 中国科学院大学 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of photoluminescence spectra of si-rich sinx films 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 19, 页码: 2397-2400 作者:  Liu, YZ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/10 Photolumineseence  Rapid thermal annealing (rta)  Low pressure chemical vapor deposition (lpcvd)  Silicon nitride  Thin films  Optical materials and properties   Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Lan Q; Kong YC; Zhou DY; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 molecular beam epitaxy  InGaAs islands  photolumineseence  line-width  1.3 MU-M  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  LUMINESCENCE  STRAIN