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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Structural and optical characteristics of self-organized inas quantum dots grown on gaas (3 1 1)a substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 70-76
作者:
Xu, HZ
;
Gong, Q
;
Xu, B
;
Jiang, WH
;
Wang, JZ
收藏
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提交时间:2019/05/12
Inas quantum dots
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas (3 1 1)a
Photoluminesence
Structural and optical characteristics of self-organized InAs quantum dots grown on GaAs (3 1 1)A substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 70-76
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs (3 1 1)A
photoluminesence
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
ORIENTED GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY