机构

• 金属研究所 [3]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 2002 [1]
• 1996 [2]

学科主题

• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Magnetism and phase transitions of iron under pressure 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics-Condensed Matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 42 Z. Y. Zeng; C. E. Hu; X. R. Chen; L. C. Cai; F. Q. Jing 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/13 generalized-gradient approximation  ab-initio  pseudopotential  calculations  electronic-structure  static compression  spin transition  surface alloys  lower mantle  earths core  plane-wave   Half-metallic ferromagnetic semiconductors of V- and Cr-doped CdTe studied from first-principles pseudopotential calculations 期刊论文  OAI收割 Physica B-Condensed Matter, 2005, 卷号: 366, 期号: 1-4, 页码: 62-66 K. L. Yao; G. Y. Gao; Z. L. Liu; L. Zhu; Y. L. Li 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/14 half-metallic  diluted magnetic semiconductor  ab initio pseudopotential  calculations  room-temperature   Electronic structure and structural properties of Ti4AlN3 investigated by ab initio calculations 期刊论文  OAI收割 Journal of the Physical Society of Japan, 2002, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 1313-1317 Z. M. Sun; Y. C. Zhou 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/14 electronic structure  chemical bonding  Ti4AlN3  ab initio  pseudopotential calculations  anisotropic bonding character  titanium-silicon carbide  liquid reaction process  al-n system  thermal-properties  bonding properties  ti3sic2 ceramics  bulk ceramics  temperature  microstructure  ti3gec2   Band structure parameters of zinc-blende GaN, AlN and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 5, 页码: 381-384 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 semiconductors  electronic band structure  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ELECTRONIC-STRUCTURE  GALLIUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  DIAMOND   Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  BAND-GAPS  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ALUMINUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  GROWTH  INSULATORS  CRYSTALS  SILICON  DIAMOND