机构

• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1994 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING 期刊论文  OAI收割 Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737 S. X. Jin; M. H. Yuan; L. P. Wang; H. Z. Song; H. P. Wang; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/14 schottky barrier (sb)  metal-semiconductor (ms) interfaces  hydrogen  zero bias annealing (zba)  reverse bias annealing (rba)  unified defect model  crystalline semiconductors  states