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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Extracting more light for vertical emission: high power continuous wave operation of 1.3-m quantum-dot photonic-crystal surface-emitting laser based on a flat band 期刊论文  OAI收割 Light: Science and Applications, 2019, 卷号: 8, 期号: 1 作者:  H.-Y.Lu;  S.-C.Tian;  C.-Z.Tong;  L.-J.Wang;  J.-M.Rong   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/08/24 Photonic crystals,Arsenic compounds,Crystal structure,III-V semiconductors,Indium arsenide,Nanocrystals,Quantum dot lasers,Semiconductor quantum dots,Surface emitting lasers   1Tb/s all-optical XOR and AND gates using quantum-dot semiconductor optical amplifier-based turbo-switched Mach-Zehnder interferometer 期刊论文  OAI收割 Journal of Computational Electronics, 2019, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 628-639 作者:  A.Kotb;  K.E.Zoiros;  C.L.Guo   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/08/24 All-optical AND gate,Quantum-dot semiconductor,optical amplifier,Turbo-switch,Mach-Zehnder interferometer,2-photon absorption   2 Tb/s all-optical gates based on two-photon absorption in quantum dot semiconductor optical amplifiers 期刊论文  OAI收割 Optics and Laser Technology, 2019, 卷号: 112, 页码: 442-451 作者:  A.Kotb;  K.E.Zoiros;  C.Guo   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/08/24 All-optical logic gates,Two-photon absorption,Quantum dot,semiconductor optical amplifier,Mach-Zehnder interferometer,Delayed   Two-photon absorption in quantum dot semiconductor optical amplifiers-based all-optical XOR gate at 2Tb/s 期刊论文  OAI收割 Optical and Quantum Electronics, 2019, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 12 作者:  A.Kotb;  C.L.Guo   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/08/24 All-optical XOR gate,Two-photon absorption,Quantum dot semiconductor,optical amplifier,Mach-Zehnder interferometer   Luminescence lifetime enhanced by exciton-plasmon couple in hybrid CsPbBr3 perovskite Pt nanostructure 期刊论文  OAI收割 Materials Research Express, 2018, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 9 作者:  Liu, C. X.;  Zhang, J. S.;  Chen, Y. Y.;  Jing, P. T.;  Zhang, L. G.   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/09/17 hybrid CsPbBr3 perovskite/Pt  exciton-plasmon couple  energy transfer  lifetime enhancement  semiconductor quantum-dot  metal nanoparticles  gold nanoparticles  fluorescence  photoluminescence  emission  suppression  polaritons  overlap  cdse  Materials Science   Microwave-Assisted Heating Method toward Multicolor Quantum Dot-Based Phosphors with Much Improved Luminescence 期刊论文  OAI收割 Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 32, 页码: 27160-27170 作者:  Zhou, D.;  Wang, Y.;  Tian, P. F.;  Jing, P. T.;  Sun, M. L.   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/09/17 aqueous quantum dot  sodium silicate  phosphors  white-light-emitting  diode  visible light communication  light-emitting-diodes  cdte nanocrystals  circular-dichroism  highly  luminescent  color-converter  white leds  communication  photoluminescence  semiconductor  fluorescence  Science & Technology - Other Topics  Materials Science   等离激元耦合调控的半导体量子点的线性与非线性光学响应研究 学位论文  OAI收割 博士后, 北京: 全国博士后管理委员会, 2016 刘晓娜 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/06/27 Semiconductor quantum dot  metal nanoparticle  exciton-plasmon  enhancement  quenching  nonlinear Fano effect  first principle  GW method   Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 86-90 Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Chen, P; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Ma, CH 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/04/17 Semiconductor laser  Quantum dot laser  Indium phosphide  Gas source molecular beam epitaxy   Self-heating effect in 1.3 mu m p-doped InAs/GaAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 6, 页码: art. no. 063107 Xu DW; Tong CZ; Yoon SF; Zhao LJ; Ding Y; Fan WJ 收藏  |  浏览/下载：138/19  |  提交时间：2010/04/28 gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  quantum dot lasers  surface emitting lasers  DEPENDENT OUTPUT CHARACTERISTICS  SEMICONDUCTOR-LASERS  1.3-MU-M  VCSELS  WELL  CONFINEMENT  POWER   Spin-Dependent Electron Properties of a Triple-Terminal Quantum Dot Structure 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2009, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1117-1124 Y. Han; W. J. Gong; G. Z. Wei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/04/13 quantum dot  electron transport  Rashba interaction  transport  semiconductor  layers  wells