机构

• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 How thick SiO(2) cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO(2)-buffered SiN(x) films? 期刊论文  OAI收割 Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 2016-2020 M. Xu; Q. Y. Chen; S. Xu; K. Ostrikov; Y. Wei; Y. C. Ee 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/13 SiNx film  SiO(2)  Annealing  Photoluminescence  silicon oxynitride  si0.7ge0.3 layers  defect spectrum  nanostructures  luminescence  morphology  devices  origin  growth