机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2011 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Raman scattering and magnetizations studies of (Al, Cr)-codoped 4H-SiC 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2011, 卷号: 323, 期号: 22, 页码: 2876 Song, B; Chen, XL; Han, JC; Wang, G; Bao, HQ; Duan, LB; Zhu, KX; Li, H; Zhang, ZH; Wang, WY; Wang, WJ; Zhang, XH; Meng, SH 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/24 HIGH-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  6H-SIC SINGLE-CRYSTALS  MAGNETIC-PROPERTIES  DOPED ALN  SILICON-CARBIDE  ZINC-OXIDE  THIN-FILMS  MN  GROWTH  SEMICONDUCTORS   Fracture properties of silicon carbide thin films by bulge test of long rectangular membrane 期刊论文  OAI收割 journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 453-461 Zhou, W; Yang, JL; Sun, GS; Liu, XF; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/08 bulge test  fracture property  microelectromechanical systems (MEMS)  silicon carbide (SiC) thin films  Weibull distribution function   Synthesis of silicon carbide films by combined implantation with sputtering techniques 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2007, 卷号: 253, 期号: 20, 页码: 8428-8434 G. B. Li; J. Z. Zhang; Q. L. Meng; W. Z. Li 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 silicon carbide  MEVVA  IBAD  ion implantation  chemical-vapor-deposition  thin-films  sic films  raman-scattering  internal-stress  laser-ablation  3c-sic films  growth  beam  relaxation   TEM investigations on layered ternary ceramics 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2007, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 145-165 Z. J. Lin; M. S. Li; Y. C. Zhou 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 layered ternary ceramics  MAX phase  TEM  STEM  interfacial structure  liquid reaction synthesis  transmission electron-microscope  high-temperature oxidation  ab-initio calculations  ti3sic2 thin-films  titanium-silicon carbide  si-c system  ti-al-c  mechanical-properties  crystal-structure   Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：100/12  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  microtwins  X-ray four-circle diffractometer  APCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GAN  SI  SUBSTRATE  DEFECTS  NITRIDE  MBE