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• OAI收割 [3]
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内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2020 [1]
• 2010 [2]
• 2009 [1]

学科主题

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• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Lattice Defects and Exfoliation Efficiency of 6H-SiC via H-2(+) Implantation at Elevated Temperature 期刊论文  OAI收割 MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 24 作者:  Wang, Tao;  Yang, Zhen;  Li, Bingsheng;  Xu, Shuai;  Liao, Qing   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/01 SILICON-CARBIDE  ON-INSULATOR  HYDROGEN IMPLANTATION  SURFACE EXFOLIATION  BUBBLE FORMATION  ION-CUT  IRRADIATION  HELIUM  WAFERS  H+   Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 6 作者:  Tang Hai-Ma;  Zheng Zhong-Shan;  Zhang En-Xia;  Yu Fang;  Li Ning 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon-on-insulator wafers  Radiation hardness  Nitrogen implantation   Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106 Tang HM (Tang Hai-Ma); Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang EX (Zhang En-Xia); Yu F (Yu Fang); Li N (Li Ning); Wang NJ (Wang Ning-Juan) 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/11/02 silicon-on-insulator wafers  radiation hardness  nitrogen implantation   Gettering layer for oxygen accumulation in the initial stage of SIMOX processing 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 8-9, 页码: 1273-1276 Ou, X; Kogler, R; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Gerlach, JW 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 LOW-DOSE SEPARATION  ON-INSULATOR MATERIAL  BURIED OXIDE  IMPLANTED SILICON  ENERGY  REGION  WAFERS