机构

• 金属研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 广州能源研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2021 [1]
• 2012 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Coupled Current Jumps and Domain Wall Creeps in a Defect-Engineered Ferroelectric Resistive Memory 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 页码: 10 作者:  Huang, Biaohong;  Xie, Zhongshuai;  Feng, Dingshuai;  Li, Lingli;  Li, Xiaoqi   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/07/01 BiFeO3  current jump  domain wall creep  ferroelectric resistive switching  oxygen vacancy  space-charge-limited current   Measurement of the hole mobility in the blend system by space charge limited current 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 8, 页码: 1-5 作者:  Yu Huang-Zhong 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/10/27 space charge limited current  mobility  polymer   Space-charge-limited currents in gan schottky diodes 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 847-852 作者:  Shen, XM;  Zhao, DG;  Liu, ZS;  Hu, ZF;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Schottky diode  I-v characteristics  Space-charge-limited current