中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
新疆理化技术研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [1]
2018 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET
期刊论文
OAI收割
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566
作者:
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2020/12/11
SiC MOSFET
total ionizing dose irradiation
time-dependent dielectric breakdown
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
作者:
Ma, T (Ma, Teng)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2018/03/14
Reliability
Proton Irradiation
Radiation Induced Leakage Current (Rilc)
Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)
Total Ionizing Does (Tid)