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Response spectrum 0.9-2.65 m of In0.82Ga0.18As detectors by two-step growth technique (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割
2012 International Conference on Material Sciences and Manufacturing Technology, ICMSMT 2012, October 5, 2012 - October 6, 2012, Dalian, China
作者:  Zhang T.
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InGaAs nanoflowers grown by MOCVD (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割
2012 Spring International Conference on Material Sciences and Technology, MST-S, May 27, 2012 - May 30, 2012, Xi'an, China
作者:  Zhang T.
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