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长春光学精密机械与物... [1]
重庆绿色智能技术研究... [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2022 [1]
2018 [1]
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共2条,第1-2条
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Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9
作者:
Yan, Bing
;
Zhang, Guoxin
;
Ning, Bo
;
Chen, Sikai
;
Zhao, Yang
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提交时间:2022/08/22
van der Waals heterojunction
p-p type junction
GeSe/WS2
optoelectronic properties
Photoinduced Orientation-Dependent Interlayer Carrier Transportation in Cross-Stacked Black Phosphorus van der Waals Junctions
期刊论文
OAI收割
Advanced Materials Interfaces, 2018, 卷号: 5, 期号: 20, 页码: 7
作者:
Xin, W.
;
Jiang, H. B.
;
Li, X. K.
;
Zhou, X. F.
;
Lu, J. L.
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提交时间:2019/09/17
anisotropy
black phosphorus
interlayer carrier transportation
scanning photocurrent imaging measurement
van der Waals junction
heterostructures
growth
mos2
Chemistry
Materials Science