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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
OAI收割
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
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Zheng XH (Zheng X. H.)
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Xiao ZS (Xiao Z. S.)
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Liu XY (Liu X. Y.)
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Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
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提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION