机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 1996 [3]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1996    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1-xAlxN strained quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 6, 页码: 3471-3478 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  ELECTRONIC-STRUCTURES  SEMICONDUCTOR-LASERS  ZINCBLENDE GAN  PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  SUPPRESSION  RESONANCE  ALLOYS   Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11528-11531 Xu ZY; Lu ZD; Yang XP; Yuan ZL; Zheng BZ; Xu JZ; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM-WELLS  DOTS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACES  MATRIX   Structure and device characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 162, 期号: 0, 页码: 43-47 Li B; Xiang XB; You ZP; Xu Y; Fei XY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 REGROWTH  LAYERS  SURFACE  GAAS  AL