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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
发表日期:2003
学科主题:半导体物理
条数/页:
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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
OAI收割
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
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提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
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