机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2004 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2004    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 Chen, Z; Chua, SJ; Yuan, HR; Liu, XL; Lu, DC; Han, PD; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：269/35  |  提交时间：2010/03/09 metalorganic chemical vapor deposition   Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428 作者:  Li DB;  Han XX;  Han PD 收藏  |  浏览/下载：161/51  |  提交时间：2010/03/09 nanostructure   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/10/29 metalorganic chemical vapor deposition  semiconducting III-V materials  DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES  CARRIER CONFINEMENT  EFFECT TRANSISTORS  PHOTOLUMINESCENCE  MOBILITY  HETEROJUNCTION  INTERFACE  HFETS   Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者:  Han XX;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：117/32  |  提交时间：2010/03/09 FIELD-EFFECT TRANSISTORS