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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
发表日期:2007
学科主题:半导体物理
条数/页:
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MBE growth of very short period InAs/GaSb type-II superlattices on (001) GaAs substrates
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY