机构

• 金属研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Preferential growth of helium-doped Ti films deposited by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2009, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1392-1399 作者:  Zhang, Lei;  Shi, L. Q.;  He, Z. J.;  Zhang, B.;  Wang, L. B.   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/02/02 Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4+Ar 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 作者:  Cheng, Hua;  Wu, Aimin;  Xiao, Jinquan;  Shi, Nanlin;  Wen, Lishi   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution   Helium Retention and Desorption Behaviour of Reduced Activation Ferritic/Martenstic Steel 期刊论文  OAI收割 Plasma Science & Technology, 2009, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 225-230 P. H. Wang; Y. Nobuta; T. Hino; Y. Yamauchi; J. M. Chen; Z. Y. Xu; X. W. Li; S. Liu 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13 reduced activation material  helium ion irradiation  helium retention  fusion reactor  ferritic steels  alloy   Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 H. Cheng; A. M. Wu; J. Q. Xiao; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  chemical-vapor-deposition  ar-diluted sih4  microcrystalline silicon  optical-properties  h films  plasma  pecvd  hydrogen  silane