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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 会议论文  OAI收割
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH; Fong WK; Surya C; Lu LW; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/10/29