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半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
学科主题:半导体物理
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Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
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提交时间:2010/03/29
AlGaN/GaN