中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
  • 学位论文 [347]
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共347条,第1-10条 帮助

限定条件    
条数/页: 排序方式:
皮秒激光垂直剥离4H-SiC晶圆技术研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  
韩世飞
  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2023/06/06
冷、热冲击下陶瓷材料裂纹实时观测和缺陷效应研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2023
作者:  
李俞桥
  |  收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2023/06/30
4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  
陈俊宏
  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2023/07/03
北极气旋活动对海冰的影响及作用机制研究 学位论文  OAI收割
中国科学院海洋研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  
梁钰
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2023/06/16
N型注入4H-SiC脉冲激光退火激活研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
武婧敏
  |  收藏  |  浏览/下载:60/0  |  提交时间:2022/07/15
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
郭志煜
  |  收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2022/07/15
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
郭志煜
  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2022/07/26
基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
王风旋
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2022/07/25
SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
顾宇翔
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2022/07/26
C/SiC复合材料激光热力烧蚀机理与多场耦合行为 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:  
王喆
  |  收藏  |  浏览/下载:96/0  |  提交时间:2022/06/30