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半导体研究所 [19]
采集方式
iSwitch采集 [19]
内容类型
期刊论文 [19]
发表日期
2011 [3]
2010 [3]
2009 [3]
2008 [5]
2007 [2]
2006 [3]
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共19条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in vo2 film near the metal-insulator transition region
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Li, W. W.
;
Yu, Q.
;
Liang, J. R.
;
Jiang, K.
;
Hu, Z. G.
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提交时间:2019/05/12
Electron spin relaxation in a single inas quantum dot measured by tunable nuclear spins
期刊论文
iSwitch采集
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Dou, X. M.
;
Sun, B. Q.
;
Jiang, D. S.
;
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
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提交时间:2019/05/12
Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:
Jiang, L. J.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, Z. G.
;
Yang, C. B.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Ferromagnetic
Implantation
Annealing
Experimental observation of polarized electroluminescence from edge-emission organic light emitting devices
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 23, 页码: 3
作者:
Ran, G. Z.
;
Jiang, D. F.
;
Kan, Q.
;
Chen, H. D.
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提交时间:2019/05/12
Blue-shift photoluminescence from porous inalas
期刊论文
iSwitch采集
Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Jiang, Y. C.
;
Liu, F. Q.
;
Wang, L. J.
;
Yin, W.
;
Wang, Z. G.
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提交时间:2019/05/12
In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Wang, Y.
;
Jiang, Y.
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Electron spin relaxation by nuclei and holes in single inas quantum dots
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 22, 页码: 3
作者:
Dou, X. M.
;
Chang, X. Y.
;
Sun, B. Q.
;
Xiong, Y. H.
;
Niu, Z. C.
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提交时间:2019/05/12
Electron spin polarisation
Electron-hole recombination
Hyperfine interactions
Iii-v semiconductors
Indium compounds
Photoluminescence
Semiconductor quantum dots
Time resolved spectra
Optical transitions of positively charged excitons and biexcitons in single inas quantum dots
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 10, 页码: 4
作者:
Chang, X. Y.
;
Dou, X. M.
;
Sun, B. Q.
;
Xiong, Y. H.
;
Niu, Z. C.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application
期刊论文
iSwitch采集
Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Wang, X. L.
;
Chen, T. S.
;
Xiao, H. L.
;
Tang, J.
;
Ran, J. X.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Algan/aln/gan
Hemt
Mocvd
Sic substrate
Power device
Cathodoluminescence study of gan-based film structures
期刊论文
iSwitch采集
Journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: S58-s63
作者:
Jiang, D. S.
;
Jahn, U.
;
Chen, J.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, S. M.
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提交时间:2019/05/12