机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 1996 [4]

学科主题

• 半导体物理 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1996    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of double barrier superlattice by synchrotron radiation and double-crystal x-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1996, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1147-1149 Zhuang Y; Wang YT; Jiang DS; Yang XP; Jiang XM; Wu JY; Xiu LS; Zheng WL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 Two-dimensional excitonic emission in InAs submonolayers 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 23, 页码: 16919-16924 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Xu JZ; Li SS; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL; Wang PD; Torres CMS; Ledentsov NN 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS QUANTUM-WELLS  OSCILLATOR STRENGTH  RADIATIVE LIFETIMES  LINEWIDTH  DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  DEPENDENCE  HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION   Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11528-11531 Xu ZY; Lu ZD; Yang XP; Yuan ZL; Zheng BZ; Xu JZ; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM-WELLS  DOTS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACES  MATRIX   Effect of temperature on implant isolation characteristics of AlGaAs/GaAs multilayer heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 defect recognition and image processing in semiconductors 1995, 1996, 卷号: 149, 期号: 0, 页码: 85-90 Xu HD; Wang S; Zheng D; Liu HZ; Zhou LS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS