机构

• 半导体研究所 [2]
• 近代物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [4]

发表日期

• 1998 [4]

学科主题

• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1998    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Damage production in silicon irradiated with 112 MeV Ar ions 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, CL;  Hou, MD;  Zhu, ZY;  Wang, ZG;  Cheng, S   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/08/20 irradiation  amorphous region  divacancy  silicon   Damage production in silicon irradiated with 112 MeV Ar ions 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, CL;  Hou, MD;  Zhu, ZY;  Wang, ZG;  Cheng, S   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/08/20 irradiation  amorphous region  divacancy  silicon   Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW 会议论文  OAI收割 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Cheng BW; Yu JZ; Yu Z; Lei ZL; Li DZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys 会议论文  OAI收割 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Yu Z; Yu JZ; Cheng BW; Lei ZL; Li DZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 Si1-yCy alloys  ion implantation  solid phase epitaxy recrystallization