机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain and photoluminescence characterization of cubic (In,Ga)N films grown on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3711-3714 Sun XL; Wang YT; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Li JB; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 PHASE-SEPARATION  GAN   Photoluminescence and microstructure of the Erbium-Doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 838-840 Liang JJ; Chen WD; Wang YQ; He J; Zheng WM; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 CRYSTALLINE SILICON  LUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SI   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS