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浏览/检索结果: 共226条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 仪征化纤化工厂腐蚀情况调查 期刊论文  OAI收割 腐蚀科学与防护技术, 2000, 期号: 6, 页码: 364-365 张亚明,李晓东,李美栓,王云翔,李爱民,韩成林 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/12 腐蚀情况:5683  化纤化:4658  仪征化纤股份有限公司:4080  钝化膜:3325  国家重点实验室:2225  金属腐蚀与防护:2159  中国科学院:1542  金属研究所:1498  不锈钢表面:1435  除雾器:1407   核子微探针多站多参量数据系统用于单颗粒大气飞灰的研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2000, 期号: 12 王基庆; 郭盘林; 李晓林; 裘惠源; 朱节清 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/23 Two new abietane diterpenoids from Coleus xanthanthus 期刊论文  OAI收割 CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2000, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 1069-1072 作者:  Mei, S;  Na, Z;  Niu, XM;  Li, CM;  Lin, ZW 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/21 Coleus xanthanthus  abietane diterpenoids  coleone  11-acetoxy-coleon U  11  16-diacetosy-coleon U   The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gsmbe  Sige alloy  Doping  Sims  Hbt  Current gain   Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE