机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [2]
• 2014 [1]
• 2012 [1]

学科主题

• 半导体物理 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116 作者:  Y. Jiang;  S. Thapa;  G. D. Sanders;  C. J. Stanton;  Q. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/01 Landau levels and magneto-transport property of monolayer phosphorene 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 12295 X. Y. Zhou; R. Zhang; J. P. Sun; Y. L. Zou; D. Zhang; W. K. Lou; F. Cheng; G. H. Zhou; F. Zhai; Kai Chang 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2016/04/08 Electronic and magneto-optical properties of monolayer phosphorene quantum dots 期刊论文  OAI收割 2d materials, 2015, 卷号: 2, 期号: 4, 页码: 045012 Rui Zhang; X Y Zhou; D Zhang; W K Lou; F Zhai; Kai Chang 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2016/04/08 Single- and few-electron states in topological-insulator quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2014, 2014, 卷号: 90, 90, 期号: 11, 页码: 115303, 115303 作者:  Li, J;  Lou, WK;  Zhang, D;  Li, XJ;  Yang, W   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/25 Polarization-Driven Topological Insulator Transition in a GaN/InN/GaN Quantum Well 期刊论文  OAI收割 physical review letters, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 109, 109, 期号: 18, 页码: 186803, 186803 作者:  Miao MS (Miao, M. S.);  Yan Q (Yan, Q.);  Van de Walle CG (Van de Walle, C. G.);  Lou WK (Lou, W. K.);  Li LL (Li, L. L.)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/26