机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2000 [2]
• 1999 [2]
• 1998 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n si/sige/si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 N-type doping  P-type doping  Si/sige  Hbt  Gsmbe   The effect of dopant si on the uniformity of self-organized inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 423-426 作者:  Wang, HL;  Zhu, HJ;  Li, Q;  Ning, D;  Wang, H 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Pl  Si-doping  Inas/gaas   High phosphorous doping and morphological evolution during si growth by gas source molecular beam epitaxy (gsmbe) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  Surface morphology  Morphological evolution   The influence of thickness on properties of gan buffer layer and heavily si-doped gan grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 页码: 287-290 作者:  Liu, XL;  Wang, LS;  Lu, DC;  Wang, D;  Wang, XH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  Gan  Gan buffer  Heavy si-doping