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上海微系统与信息技术... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1995 [3]
学科主题
Physics [3]
Applied [2]
Multidisci... [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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发表日期:1995
学科主题:Physics
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Reactive deposition epitaxial growth of beta-FeSi2 film on Si(001): In situ observation by reflective high energy electron diffraction
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 613-616
Wang,LW
;
Lin,CL
;
Shen,QW
;
Ni,RS
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
001 SILICON
DISILICIDE
FORMATION OF COVALENT SOLID CNX COMPOUNDS BY HIGH-DOSE NITROGEN IMPLANTATION INTO CARBON THIN-FILMS
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 66, 期号: 24, 页码: 3290-3291
XIN,HP
;
XU,WP
;
SHI,XH
;
ZHU,H
;
LIN,CL
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
STRUCTURAL-PROPERTIES
SILICON-NITRIDE
ION-BEAMS
SURFACES
N+
REACTIVE DEPOSITION EPITAXIAL-GROWTH OF BETA-FESI2 FILM ON SI(111) - IN-SITU OBSERVATION BY REFLECTIVE HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 66, 期号: 25, 页码: 3453-3455
WANG,LW
;
LIN,CG
;
SHEN,QW
;
LIN,X
;
NI,RS
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
001 SILICON