机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrical bistability and negative differential resistance in diodes based on silver nanoparticle-poly(N-vinylcarbazole) composites 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: art. no. 094320 Tang AW (Tang Aiwei); Qu SC (Qu Shengchun); Hou YB (Hou Yanbing); Teng F (Teng Feng); Tan HR (Tan Hairen); Liu J (Liu Jie); Zhang XW (Zhang Xingwang); Wang YS (Wang Yongsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/12/12 THIN-FILM  OPTICAL-PROPERTIES  RAMAN-SCATTERING  MEMORY DEVICES  NANOPARTICLES  NANOCRYSTALS  MOLECULE  CLUSTERS   Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文  OAI收割 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   Composition deviation of arrays of FePt nanoparticles starting from poly(styrene)-poly(4-vinylpyridine) micelles 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 13, 页码: art. no. 135704 作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 DIBLOCK COPOLYMER MICELLES   Investigation of Mn-doped Si films prepared by magnetron cosputtering 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 1, 页码: 239-242 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 Mn doping  magnetron sputtering  MnxSi1-x  diluted magnetic  THIN-FILMS  SPIN-PHOTONICS  SEMICONDUCTORS  GROWTH  FERROMAGNETISM  SPINTRONICS   Growth and properties of magnetron cosputtering grown Mn(x)Ge(1-x)on Si(001) 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 3, 页码: 126-128 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/04/11 magnetron sputtering  MnxGe1-x  ferromagnetism  N-TYPE GE  FERROMAGNETISM  SEMICONDUCTOR  SPINTRONICS   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION