机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2001 [2]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 811-815 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：95/9  |  提交时间：2010/08/12 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY