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上海技术物理研究所 [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
学位论文 [12]
发表日期
2012 [3]
2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
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学科主题
红外基础研究 [12]
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浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
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学科主题:红外基础研究
内容类型:学位论文
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中波红外InAsSb薄膜的LPE生长、特性研究和器件工艺探索
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王奇伟
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/09/11
Inassb
液相外延
中波红外
电学输运
离子注入
碲镉汞光伏探测器光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
陈勇国
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/09/11
Hgcdte红外探测器
激光束诱导电流(lbic)
数值模拟
光敏元
窄禁带半导体InGaAs和HgCdTe的磁输运性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
魏来明
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提交时间:2012/09/11
自旋电子学
有效质量
有效g因子
反局域效应
退相干时间
HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱亮清
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提交时间:2012/09/11
Hgmnte磁性半导体
Fuorier变换红外光谱
Kp微扰理论
束缚磁极化子
Gainp应变量子阱
碲镉汞薄膜及InAs/GaAs量子点红外调制光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
马丽丽
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提交时间:2012/08/22
碲镉汞
Inas自组织量子点
光致发光谱
调制反射光谱
光谱分辨率
碲镉汞红外探测功能结构的光电性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
殷菲
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞红外探测器
暗电流特性
激光束诱导电流
光调制霍尔
光电导谱
红外光电子非晶半导体材料的第一性原理研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
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提交时间:2012/08/22
第一性原理
分子动力学
非晶半导体
电子态密度
光学性质
结构参数
介电函数虚部
红外光电子材料的电子结构和掺杂的第一性原理研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
段鹤
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提交时间:2012/08/14
红外功能材料
碲镉汞
第一性原理
碲锌镉衬底
砷掺杂
碲镉汞材料的光谱表征方法研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
黄炜
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提交时间:2012/08/14
碲镉汞
光电流谱
调制反射光谱
杂质/缺陷
光电响应
掺杂碲镉汞中长波红外发光和吸收谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
越方禹
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提交时间:2012/08/14
碲镉汞
外延薄膜
砷掺杂
反常吸收
步进扫描
调制光致发光