机构

• 光电技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]

学科主题

• Annealing ... [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Annealing - Capacitance - Metals - MOS capacitors - MOS devices - Nitric oxide - Oxidation - Silicon carbide     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Li, Yanyue;  Deng, Xiaochuan;  Liu, Yunfeng;  Zhao, Yanli;  Li, Chengzhan 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/11/03