机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [2]
• 2013 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 107101 作者:  Zhan-Wei Shen;  Feng Zhang;  Sima Dimitrijev;  Ji-Sheng Han;  Guo-Guo Yan 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/06/15 Influences of annealing on structural and compositional properties of Al2O3 thin films grown on 4H–SiC by atomic layer deposition 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 128104 Li-Xin Tian; Feng Zhang; Zhan-Wei Shen; Guo-Guo Yan; Xing-Fang Liu; Wan-Shun Zhao; Lei Wang; Guo-Sheng Sun; Yi-Ping Zeng 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 High efficiency, single-lobe surface-emitting DFB/DBR quantum cascade lasers. 期刊论文  OAI收割 opt express, 2016, 卷号: 24, 期号: 17, 页码: 19545-19551 Ying-hui Liu; Jin-chuan Zhang; Fang-liang Yan; Zhi-wei Jia; Feng-qi Liu; Ping Liang; Ning Zhuo; Shen-qiang Zhai; Li-jun Wang; Jun-qi Liu; Shu-man Liu; Zhan-guo Wang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/10 High sensitivity Hall devices with AlSb InAs quantum well structures 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 7106 Zhang Yang, Zhang Yu-Wei, Wang Cheng-Yan, Guan Min, Cui Li-Jie, Li Yi-Yang, Wang Bao-Qiang, Zhu Zhan-Ping, Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/19