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  • 半导体物理 [1]
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Growth of large domain epitaxial graphene on the C-face of SiC 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 2012, 卷号: 112, 112, 期号: 10, 页码: 104307, 104307
作者:  Zhang R (Zhang, Rui);  Dong YL (Dong, Yunliang);  Kong WJ (Kong, Wenjie);  Han WP (Han, Wenpeng);  Tan PH (Tan, Pingheng)
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