机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering  GaN  mobility  MOCVD  N-TYPE GAN  NITRIDE  FILMS