机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]

学科主题

• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation 期刊论文  OAI收割 applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5 Du, Y.D.; Cao, H.Z.; Yan, W.; Han, W.H.; Liu, Y.; Dong, X.Z.; Zhang, Y.B.; Jin, F.; Zhao, Z.S.; Yang, F.H.; Duan, X.M. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/06/14 Ablation  Drain current  Fabrication  Gallium nitride  High electron mobility transistors  Photoresists  Ultrashort pulses