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上海微系统与信息技术... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2004 [2]
1997 [1]
学科主题
Physics, C... [3]
Instrument... [1]
Materials ... [1]
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共5条,第1-5条
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存缴方式:oaiharvest
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics
期刊论文
OAI收割
THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 517, 期号: 1, 页码: 465-467
Song, ZR
;
Cheng, XH
;
Zhang, EX
;
Xing, YM
;
Yu, YH
;
Zhang, ZX
;
Wang, X
;
Shen, DS
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
BORON PENETRATION
TRANSISTORS
CHARGE
SI
Influence of nitrogen element on total-dose radiation response of high-k Hf-based dielectric films
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 501-504
Song, ZR
;
Cheng, XH
;
Zhang, EX
;
Xing, YM
;
Shen, QW
;
Yu, YH
;
Zhang, ZX
;
Wang, X
;
Shen, DS
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
GATE DIELECTRICS
BORON PENETRATION
TRANSISTORS
CHARGE
SI
Nonparabolic multivalley balance-equation approach to high-field electron transport and impact ionization in ZnS: Comparison with full-band Monte Carlo simulations
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 16, 页码: 165203-165203
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/12/17
MULTIPLICATION
SEMICONDUCTORS
DEVICES
Nonparabolic multivalley balance-equation approach to high-field electron transport and impact ionization in ZnS: Comparison with full-band Monte Carlo simulations
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 16, 页码: 165203-165203
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/12/02
MULTIPLICATION
SEMICONDUCTORS
DEVICES
Nonlinear transport in quasi-two-dimensional systems driven by intense terahertz fields
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 1997, 卷号: 56, 期号: 19, 页码: 12120-12123
LEI, XL(雷啸霖)(雷啸霖)
;
Dong, B
;
Chen, YQ
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
HIGH-FREQUENCY CONDUCTIVITY
ELECTRON-TRANSPORT
BALANCE-EQUATIONS
HETEROJUNCTIONS
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
RELAXATION
GASES