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  • 半导体材料 [2]
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Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960
Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK
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KINEMATICAL STUDY OF GEXSI1-X/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICE BY A DOUBLE CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION METHOD 期刊论文  OAI收割
philosophical magazine letters, 1993, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 1-7
DUAN XF; WANG YT; SHENG C; OUYANG JT
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