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半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9418835, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2016-03-26
作者:  刘金彪;  李俊峰;  王桂磊
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半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9385212, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2016-03-10
作者:  秦长亮;  马小龙;  王桂磊;  朱慧珑;  殷华湘
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CMOS器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9373622, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-03-24
作者:  杨红;  张青竹;  徐秋霞;  殷华湘
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半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9337102, 申请日期: 2016-05-10, 公开日期: 2016-03-17
作者:  王桂磊;  殷华湘;  秦长亮;  马小龙;  朱慧珑
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/06/12
A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process 期刊论文  OAI收割
Chinese Physcs B, 2013
作者:  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘)
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Characterization of HfSiAlON/MoAlN PMOSFET Fabricated by Using a Novel Gate-Last Process 期刊论文  OAI收割
Chinese Physcs Letters, 2013
作者:  Yin HX(殷华湘);  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞)
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/10/30
The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割
2001
作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH
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