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• 上海技术物理研究所 [3]

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• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2017 [1]
• 2012 [1]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   Self-assembly of reduced graphene oxide at liquid-air interface for organic field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, 2012, 卷号: 22, 期号: 13 作者:  Ren, SD;  Li, RJ;  Meng, XJ;  Li, HX   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18 Interface polariton modes in GaAs AlAs superlattices with randomly distributed layer thickness 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 11, 页码: 7797-7802 作者:  Chen XS;  Liu XQ;  Lu W;  Shen SC;  Sasaki A   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/11/21