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  • 西安光学精密机械研... [63]
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Light modulation based on the enhanced Kerr effect in molybdenum disulfide nanostructures with curved features 期刊论文  OAI收割
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2022, 卷号: 24, 期号: 20, 页码: 12208-12208
作者:  Li, Tianlun;  Li, Xiaodie;  Gao, Duorui;  Mao, Jianyong;  Hou, Yaping
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/06/06
Diamond LED devices and associated methods 专利  OAI收割
专利号: US8753911, 申请日期: 2014-06-17, 公开日期: 2014-06-17
作者:  SUNG, CHIEN-MIN
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Flip-chip light emitting diodes and method of manufacturing thereof 专利  OAI收割
专利号: US8202751, 申请日期: 2012-06-19, 公开日期: 2012-06-19
作者:  SEONG, TAE-YEON;  SONG, JUNE-O;  KIM, KYOUNG-KOOK;  HONG, WOONG-KI
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Diamond LED Devices and Associated Methods 专利  OAI收割
专利号: US20100178719A1, 申请日期: 2010-07-15, 公开日期: 2010-07-15
作者:  SUNG, CHIEN-MIN
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30
First-Principles Study on Magnetic Properties of V-Doped ZnO Nanotubes 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 16105
作者:  Zhang Fu-Chun;  Zhang Zhi-Yong;  Zhang Wei-Hu;  Yan Jun-Feng;  Yun Jiang-Ni
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/10/08
Enhancement-mode thin film transistor with nitrogen-doped ZnO channel layer deposited by laser molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
thin solid films, 2008, 卷号: 516, 期号: 10, 页码: 3305-3308
作者:  Zhang, Xin-An;  Zhang, Jing-Wen;  Zhang, Wei-Feng;  Wang, Dong;  Bi, Zhen
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/09/30
Current-confinement heterostructure for an epitaxial mode-confined vertical cavity surface emitting laser 专利  OAI收割
专利号: US20050249254A1, 申请日期: 2005-11-10, 公开日期: 2005-11-10
作者:  DEPPE, DENNIS G.
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
Double heterojunction light emitting diodes and laser diodes having quantum dot silicon light emitters 专利  OAI收割
专利号: US6927422, 申请日期: 2005-08-09, 公开日期: 2005-08-09
作者:  TORVIK, JOHN TARJE
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Light emitting device and process for producing the same 专利  OAI收割
专利号: US6806505, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19
作者:  KOJIMA, SHIGERU;  SHIRAI, KATSUYA;  MORI, YOSHIFUMI;  TODA, ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor device, surface emitting semiconductor laser and edge emitting semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US6597017, 申请日期: 2003-07-22, 公开日期: 2003-07-22
作者:  SEKO, YASUJI;  SAKAMOTO, AKIRA
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26