机构

• 近代物理研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2021 [2]
• 2020 [4]
• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 1994 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Microstructure investigations of Fe50Mn30Co10Cr10 dual-phase high-entropy alloy under Fe ions irradiation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2021, 卷号: 552, 页码: 7 作者:  Wang, Ji;  Chai, Jianlong;  Zhang, Hongpeng;  Tai, Pengfei;  Liu, Chao   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2021/12/09 High-entropy alloy  Irradiation  TEM  Twinning-induced plasticity  Transformation-induced plasticity   Mechanisms for <100> interstitial dislocation loops to diffuse in BCC iron 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 8 作者:  Gao, N.;  Yao, Z. W.;  Lu, G. H.;  Deng, H. Q.;  Gao, F.   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/12/09 In-situ study of initiation and extension of nano-thick defect-free channels in irradiated nickel 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 58, 页码: 114-119 作者:  Li, Shihao;  Gao, Ning;  Han, Weizhong   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/15 Defect-free channel  Dislocation loop  In-situ  Strain localization   Production mechanism of proton-rich actinide isotopes in fusion reactions and via multinucleon transfer processes 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW C, 2020, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: 13 作者:  Chen, Peng-Hui;  Niu, Fei;  Feng, Zhao-Qing   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/01/12 Interface facilitated transformation of voids directly into stacking fault tetrahedra 期刊论文  OAI收割 ACTA MATERIALIA, 2020, 卷号: 188, 页码: 623-634 作者:  Kong, X. F.;  Gao, N.;  Beyerlein, I. J.;  Yao, B. N.;  Zheng, S. J.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2022/01/18 Voids  Stacking fault tetrahedron  Interface  Transformation  Dislocation  Damage   Atomic Mixing Induced by Ion Irradiation of V/Cu Multilayers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 5 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2022/01/18 Degradation mechanisms of optoelectric properties of GaN via highly-charged Bi-209(33+) ions irradiation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 440, 页码: 814-820 作者:  Xian, Y. Q.;  Zhang, L. Q.;  Li, J. Y.;  Su, C. H.;  Chen, Y. G.   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/22 GaN  Highly-charged bismuth-ion irradiation  Raman spectrum  Varying temperature photoluminescence (PL) spectrum  Optoelectric properties   Effect of hydrogen-doping on bonding properties of Ti3SiC2 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2011, 卷号: 406, 页码: 4460-4465 作者:  Ou, X. D.;  Wang, Y. X.;  Shi, L. Q.   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/05/31 Hydrogen  Ti3SiC2  Chemical bonding   IDENTICAL TRANSITIONS BETWEEN SUPERDEFORMED AND NORMALLY DEFORMED BANDS AND THE CANCELLATION PICTURE 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS B, 1994, 卷号: 326, 页码: 207-211 作者:  ZHANG, JY   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/05/31