中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
苏州纳米技术与纳米仿... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2018 [2]
2017 [3]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:
Deng, Xuguang(邓旭光)
;
Li, Xiang
;
Xu, Ning
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Zhang, Xinping
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Bias-switchable negative and positive photoconductivity in 2D FePS3 ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2018
作者:
Gu, Haoshuang
;
Wang, Zhao
;
Yuan, Jian
;
Zhang, Mingguang
;
Zeng, Zhongming(曾中明)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:144/0
  |  
提交时间:2019/03/27
In Situ Generation of Photosensitive Silver Halide for Improving the Conductivity of Electrically Conductive Adhesives
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017
作者:
Li, Chaowei(李朝威)
;
Li, Qiulong
;
Long, Xiaoyang
;
Li, Taotao
;
Zhao, Jingxin
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2018/02/05
AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Zhang, Zhili(张志利)
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhang, Xiaodong(张晓东)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2018/02/05
Comparative study of GaAs and CdTe solar cell performance under low-intensity light irradiance
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY, 2017
作者:
Li, Qiang
;
Shen, Kai
;
Yang, Ruilong
;
Zhao, Yongming(赵勇明)
;
Lu, Shulong(陆书龙)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2018/02/05